برق. قدرت. کنترل. الکترونیک. مخابرات. تاسیسات.

دایره المعارف تاسیسات برق (اطلاعات عمومی برق)

سنسور های بارکد سری OTBC-04XX

سنسورهای بارکد سری OBTC شامل یک فوتو ترانزیستور تک امیتره اند که نور بازتابیده به نوارهای بارکد بوسیله فوتو دیود داخلی را از طریق یک لنز دریافت می کنند. در OBTC-0480  فوتو دیود داخلی نور مادون قرمزی با طول موج 940نانومتر را منتشر می سازد.  در حالیکه OTBC-0490 دارای نوری مرئی با طول موج 660 نانومتر است. در مدل OTBC-0482  نور بازتابیده به بیس فوتو ترانزیستور از ابتدا یک فیلتر عبور میکند. هدف از بکارگیری فیلتر در این نوع سنسور بارکد استفاده از آن در محیطهای با شدت نور بسیار بالاست. ولتاژ تغذیه هر سه مدل 5 ولت در توانی معادل 100 میلی وات است.

مدار شکل یک بکمک یک سنسور بارکد سری OTBC-04XX طراحی و شبیه سازی شده است. خروجی سنسور توسط اولین طبقه تقویت کننده (U2)، که یک تقویت کننده از نوع Transimpedance Amplifier است، تقویت میشود. ولتاژ پایه ی ورودی منفی U2 توسط پتانسیومتر متصل به آن در حدود 750 میلی ولت تنظیم شده است.  زوج U3 و U4 بصورت تقویت کننده پوش پول با قابلیت تثبیت گین ولتاژ بکار رفته اند. سیگنال خروجی پوش پول در تقویت کننده ی فیدبک U5 تقویت و سرانجام توسط تقویت کننده تک ترانزیستور Q1 آنرا میتوان به مصارف مختلف رسانید. برای دیدن تصاویر در اندازه بزرگتر بر روی توضیح آن کلیک کنید. 

img142/3749/ewbcircuitofbarcodeotr4sl3.jpg

شکل یک – مدار آشکار ساز بار کد بکمک سنسور بارکد سری OTBC-04XX

باید توجه داشت که بجای عنصر بارکد استفاده شده در شکل یک باید از شماتیک ارائه شده در شکل دو استفاده کنید. در این شکل بعلاوه شماره پایه های سنسور بارکد OTBC-04XX نیز ارائه شده است. در اینصورت خروجی متناسب با عرض خطوط بارکد بصورت شکل شماره سه را دریافت خواهید کرد. مدار فوق توسط نرم افزار EWB10 طراحی و سیموله شده است.

img142/5347/otbc04xxqt0.jpg img354/6999/otbc04xxpindiagramvy7.png

شکل دو – نحوه اتصال سنسور بارکد در شکل شماره یک

img165/1332/outputwaveformxj5.jpg

شکل سه – خروجی مدار در کلکتور ترانزیستور Q1 (قهوه ای) نسبت به خروجی U2 (سبز)

منبع : سایت اُپتوتک OptoTech

هرگونه نقل قول و اقتباس از مطالب این وبلاگ تنها با ذکر منبع مجاز است.

+ نویسنده :سنسور ,Sun 14 Sep 2008 , 10:45 PM | آرشیو نظرات

بنام خدا

یکی از مهمترین عوامل قابلیت جذب گاز (Gas Adsorbsion) در سنسورهای گاز فیلم ضخیم، متخلل بودن سطح سنسور است، بطوریکه سوراخهای بسیار ریز سطح سنسور بسان کانالهایی باعث ورود و برخورد گاز با لایه اکتیو سطح سنسور شده و این خود باعث تغییر مشخصات الکتریکی لایه (مثلاً مقاومت آن) می گردد. تصویر زیر که از سطح یک سنسور الکل (طراحی و ساخت توسط خودم) گرفته شده، به عینه این تخلخل را نشان میدهد. برای تصویر برداری ،سطح سنسور را با لایه ای در حدود 20 نانو طلا پوشاندیم. جنس لایه ی اکتیو ترکیبی از ایتریا (Yttria)، اکسید مس، و تری اکسید تنگستن (WO3) است.

img295/4592/s24ga0.png

شکل یک - تصویر SEM از سطح سنسور الکل

ضخامت لایه اکتیو و بهمراه ضخامت لایه الکترود زیر آن در حدود 7 میکرون است. و تصویر برش عرضی سنسور، چسبندگی قابل ملاحظه این دو لایه به Substrate را نشان میدهد (شکل دو).

img295/1033/s31cu2.png

شکل دو - تصویر برش عرضی سنسور. ضخامت Substrate حدود ۲۷۰ میکرون و متوسط ضخامت لایه های اکتیو و الکترود روی هم حدوداً ۷ میکرون است.

با استفاده از Energy Dispersive Using X-Ray یا به اختصار EDX سه منطقه ی متفاوت از سطح سنسور آنالیز و نتیجه در تصویر شماره سه قابل مشاهده است. شکل 3 بوضوح میزان پراکندگی تقریباً یکسان سه پودر مورد استفاده را در سه منطقه متفاوت نمایش میدهد.

 

شکل سه - آنالیز سطحی سنسور بکمک EDX میزان پراکندگی مواد لایه ی اکتیو در سطح سنسور را نشان میدهد.

صفحات جانبی

نظرسنجی

    لطفاً نظرات خود را درمورد وبلاگ با اینجانب در میان بگذارید.(iman.sariri@yahoo.com)نتایج تاکنون15000مفید و 125غیرمفید. با سپاس


  • آخرین پستها

آمار وبلاگ

  • کل بازدید :
  • تعداد نویسندگان :
  • تعداد کل پست ها :
  • آخرین بازدید :
  • آخرین بروز رسانی :